Várhatóan még az év vége előtt bejelenti a Qualcomm a legújabb Snapdragon lapkakészletet, amelyet korábban Snapdragon 855-ként emlegettek, azonban a névadási konvenció megváltozása miatt várhatóan Snapdragon 8150-nek fogják majd hívni.

Egyelőre tehát még meg sem érkezett, ennek ellenére már vizsgázott is a Qualcomm újdonsága, az AnTuTu-n, illetve a Weibón jelent meg a lapkakészlet benchmarkja. A chipset 362 292 pontot ért el, így az androidos platformon futó lapkakészletek közül elsőként lépte át a 360 000 pontos álomhatárt. Ez a teszt persze nem ad mindenről felvilágosítást, azonban jól mutatja az általános teljesítményt. A lapkakészlet messze lehagyta a Huawei-féle Kirin 980-at, sőt az Apple A12 Bionic chipet is maga mögé utasította. És akkor arról még nem is beszéltünk, hogy további teljesítménynövekedés érhető majd el a gyártói optimalizálások révén.

AnTuTu/Weibo

Mindez – írja a Slashgear – megrengetheti a mobil iparágat, addig elképzelhetetlenül erős androidos telefonok jöhetnek, s immár nem az Apple-készülékek lesznek a legerősebb telefonok, legalábbis a feldolgozási teljesítményt illetően.

Úgy tudni, hogy a Snapdragon 8150-et a TSMC gyártja majd, 7 nm-es gyártástechnológiával. Háromklaszteres magmodellről lehet majd szó, hasonlóan a Kirin 980-hoz és az Exynos 9820-hoz. Lesz egy nagyteljesítményű, 2,84 GHz-es mag, három közepes mag 2,4 GHz-cel és négy, 1,87 GHz-es energiahatékony mag. Egy Adreno 640 GPU is helyet kap a lapkakészleten, ez 20 százalékkal nyújt majd jobb teljesítményt, mint elődje, az Adreno 630 GPU. Valószínűnek tűnik, hogy 5G modem is lesz a chipkészleten, hogy az áramkört tartalmazó készülék már készen állhasson a következő generációs mobilkapcsolatra.

Az első Snapdragon 8150-nel dolgozó eszközök 2019 első felében érkezhetnek. Mivel a Samsung Galaxy S10-ek egy részébe ez a lapkakészlet, míg más részükbe az új Exynos kerül, a gyakorlatban lehet majd lemérni, valójában mit is tudnak az újdonságok.

Ha máskor is tudni szeretne hasonló dolgokról, lájkolja a HVG Tech rovatának Facebook-oldalát.