A Samsung bejelentette, hogy elkezdődött a 10 nm osztályú DDR4 (double data rate 4) DRAM-ok tömeggyártása. Ez korábban 20 nm-es technológiával történt (DDR3 DRAM), amúgy ezt is a Samsung vezette be elsőként a világon, 2014-ben. A Samsung fejlesztése segíthet abban, hogy az ipar átállhasson a fejlett DDR4 termékekre.

A 10 nm-es osztályú 8 Gb-es DDR4 DRAM-nál jelentősen javulhat az ostyagyártás termelékenysége, akár 30 százalékkal is a 20 nm-es 8 Gb-os DRAM-okhoz képest. Az új memória támogatja a 3200 Mbps-os adatátvitelt, ez „csak” 2400 Mbps volt a 20 nm-es DRAM-oknál. Mindemellett az új DRAM chipek 10-20 százalékkal kevesebb energiát fogyasztanak 20 nm-es ellenlábasaikhoz képest.

Samsung

„A Samsung 10 nm osztályú DRAM-ja lehetővé teszi a legmagasabb szintű beruházási hatékonyságot az informatikai rendszereknél, és a globális memóriaipar új növekedési motorjává válhat” – mondta a bejelentést kommentálva a Samsung Electronics Memory Business elnöke. Azt is hozzátette, hogy a közeljövőben elindítják következő generációs, 10 nm osztályú mobil DRAM termékeiket is, amelyek új, innovatív megoldásokat eredményezhetnek az iparágban. A Samsung számít arra, hogy ennek a megoldásnak köszönhetően erősödhet vezető szerepe az ultra-HD okostelefonok piacán.