Ajándékozz éves hvg360 előfizetést!
Az IBM és a Samsung újdonsága áttörést hozhat többek között az okostelefonok teljesítményében és akkumulátoros üzemidejében.
Világrekord született nemrég azzal, hogy az iparág első 5 nm-es (GAAFET) szilíciumchipjét készítette el az IBM a Samsunggal és a Globalfoundries-zal együttműködésben. Ez, az EUV (extrém ultraibolya) litográfiával készült chip egyike a legkisebbeknek a maga nemében, a vastagsága néhány atomnyi, az átmérője pedig mindössze két DNS-spirál. A jelentősége pedig az, hogy lehetővé válhat, hogy csupán egy körömnyi (50 négyzetmilliméteres) chipre akár 30 milliárd tranzisztort helyezzenek el (a 7 nm-es technológiánál csak 20 milliárd tranzisztor fér el ekkora helyen).
Mindez a vállalat reményei szerint óriási áttörést hozhat a mobiltechnológiába, a virtuális valóság eszközeibe, a mesterséges intelligenciába. Összehasonlítva a mai, piacon elérhető élvonalbeli 10 nm-es technológiával, az úgynevezett nanoshetet alapú 5 nm-es technológia 40 százalékos javulást hozhat a teljesítményben. Ráadásul jóval (75 százalékkal) takarékosabban bánik az energiával. Ez a két dolog azt jelenti, hogy ugyanolyan teljesítmény mellett egy okostelefon akkumulátora akár négyszer annyi ideig bírhatja majd, mint jelenleg.
Egyelőre persze még csak kutatásokról van szó, az IBM csak nemrég publikálta az eredményeket. Azonban immár semmi akadálya annak, hogy akár már a közeljövőben is használni lehessen az 5 nm-es struktúrákat, arról nem is beszélve, hogy akár 3 nm-es struktúrák megvalósításához is közelebb kerültünk.
Ha máskor is tudni szeretne hasonló dolgokról, lájkolja a HVG Tech rovatának Facebook-oldalát.
