Az AlphaGalileo európai kutatási hírekkel foglalkozó portál értesülései szerint a tranzisztort a lisszaboni Anyagtudományi Központ (CENIMAT), valamint a lisszaboni egyetem tudomány-technológiai fakultásának munkatársai fejlesztették ki, Elvira Fortunato vezetésével.

A térvezérlésű (FET) tranzisztorban a kutatók már korábban is alkalmaztak papírt a szerkezet fizikai alaplemezeként (szubsztrát), most azonban a szubsztrát rétegek közötti komponenshez használták fel a cellulóz alapú anyagot. Az így létrejött szerkezet a legmodernebb vékonyfilm-tranzisztorokkal (TFT) is felveszi a versenyt az elektromos tulajdonságok terén. Az eredményeket a szeptemberi IEEE Electron Device Letters című szakmai folyóiratban teszik közzé.

A CENIMAT kutatói a világon elsőként alkalmaztak papírt a FET tranzisztor dielektromos rétegeként. „A készüléket egy papírlap két oldalán helyeztük el, így az anyag egyszerre viselkedik szigetelőként és szubsztrátként. Kettő az egyben” – magyarázta Elvira Fortunato.

A papíralapú, „hibrid” tranzisztorok teljesítménye az amorf-szilíciumból készült TFT-két is felülmúlja, s körülbelül a legmodernebb vékonyfilm-tranzisztorokkal van egy szinten.

A fejlesztés eredményeként ígéretes eldobható elektronikai eszközök, papíralapú megjelenítők, intelligens címkék és csomagolóanyagok, biológiai felhasználású elektronikai eszközök,vagy akár új típusú RFID-jeladók jöhetnek létre.